TÍNH NẲNG
– ngoại hình theo mẫu và kỹ thuật high-end audio S1 cho chất lượng âm thanh cao.
– dùng phần tử khuyếch đại mẫu loại to UHC MOS, mang mẫu đỉnh 120A, như là 1 giai đoạn của ngõ ra. Khả năng sản xuất mẫu được cải tiến bằng transistor lưỡng cực cho chất lượng âm thanh của MOS FET và triệt tiêu sự biến đổi trong những hoạt động khuyếch đại.
– Sự kết nối cùng lúc của biến áp đôi cải thiện những đặc tính của các mạch từ một cách đáng đề cập. không những thế, bằng việc xem xét sự ảnh hưởng của trong khoảng trường một cách chu đáo, những tín hiệu nhiễu được giảm tất cả và khả năng sản xuất loại được tăng cường.
– Diode sở hữu kích thước và khả năng chịu mẫu to hài hòa với diod bình phục Hearst để hỗ trợ khả năng chịu dòng lớn và khiến sự vận hành được thấp hơn.
– Để loại bỏ sự khiến giảm chất lượng âm thanh gây ra bởi sự can thiệp lẫn nhau giữa các mạch, các khối khuyếch đại công suất được xem xét như là các thành phần đơn âm đôi để tạo sự độc lập giữa 2 kênh trái và phải. Cấu trúc 6 khối được dùng để tách rời các mạch. Điều này cái bỏ sự tác động lên chất lượng âm thanh gây ra bởi sự can thiệp của từng khối và cho âm thanh thật sự vượt bậc
ĐẶC TÍNH khoa học
| Thành phần | giá trị |
| Điện áp sử dung | AC100V, 50Hz/60Hz |
| Năng lượng tiêu thụ | 250W |
| Trọng lượng | 20Kg |
| Kích thước (mm) | 434(dài)x180(cao)x478(sâu) |
| Công suất ngõ ra | 160W+160W (4ohm, 1kHz, THD 0.7%) 80W+80W (8ohm, 20Hz – 20kHz, THD 0.07%) |
| Tổng độ méo hài | 0.01% |
| Tỉ lệ dấu hiệu trên nhiễu | Phono MM: 91dB Phono MC: 76dB CD, Tuner, DVD/Aux, Aux2, Tape1/Tape2: 110dB |
| Điều khiển âm sắc | Bass: 100Hz, ±8dB Treble: 10kHz, ±8dB |
| Đầu ra loa | A, B:4ohms – 16ohm A+B: 8ohm-16ohm Bi-wiring load: 4ohm – 16ohm |
| Vold/trở kháng ngõ vào | Phono MM: 2.5mV/47kohm Phono MC: 0.2mV/100ohm Line: 150mV/47kohm (Source-Direct-off); 150mV/13kohm (Source-Direct-on) |




